发明名称 半导体器件及其形成方法
摘要 提供了半导体器件及其形成方法,具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括:在衬底之上的层间电介质中形成开口;以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分,并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫,可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外,衬垫可用于帮助将离子注入衬底。
申请公布号 CN102969233B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201210048831.7 申请日期 2012.02.28
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 蔡雯琪;赖加瀚;陈永君;王美匀;吴启明;陈方正;陈煌明;雷明达
分类号 H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 主分类号 H01L21/28(2006.01)I
代理机构 北京德恒律师事务所 11306 代理人 陆鑫;房岭梅
主权项 一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括:在衬底之上形成介电层;穿过所述介电层形成开口,所述开口包括底部和侧壁;沿着所述开口的侧壁和所述开口的底部形成衬垫;沿着所述开口的底部去除所述衬垫的一部分,从而露出所述衬底的一部分;沿着所述侧壁来清洁具有所述衬垫的所述衬底;以及在清洁所述衬底后,对所述衬垫进行蚀刻以减小所述衬垫的厚度;利用导电材料填充所述开口。
地址 中国台湾新竹