发明名称 |
制造基于硫属化物的光伏电池的方法 |
摘要 |
本发明是在制作光伏电池中在基于硫属化铜的吸收体上形成基于硫化镉的缓冲体的方法。将缓冲体在相对高的压力溅射。所得到的电池具有良好的效率并且根据一个实施方案,其特征在于吸收体与缓冲体层之间狭窄的界面。根据第二实施方案,缓冲体的特征进一步在于相对高的氧含量。 |
申请公布号 |
CN102870234B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201180021823.7 |
申请日期 |
2011.04.28 |
申请人 |
陶氏环球技术有限责任公司 |
发明人 |
托德·R·布里登;杰弗里·L·小芬顿;加里·E·米切尔;柯克·R·汤姆森;迈克尔·E·米尔斯;戴维·J·帕里洛 |
分类号 |
H01L31/0749(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0336(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0749(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
陈平 |
主权项 |
一种用于制备光伏电池的方法,所述方法包括:在基板上形成基于硫属化物的吸收体层,通过在0.08至0.12毫巴的工作压力溅射在所述吸收体上形成包含镉和硫的缓冲体层,其中在所述吸收体层与所述缓冲体层之间形成具有小于10nm的厚度的界面,其中所述界面在所述吸收体层处的一侧上由所述电池的横截面的能量色散型x射线光谱扫描中镉的原子分数超过0.05的点限定,并且在所述缓冲体层处的第二侧上由铟和硒的原子分数超过0.05的点限定。 |
地址 |
美国密歇根 |