发明名称 接地屏蔽电容器
摘要 在一个实施例中,一种装置包括耦合到第一金属层的第一参考电压和耦合到第二金属层的第二参考电压。多个指状物中的第一指状物类型在第一区域耦合到第一金属层而在第二区域耦合到第一金属层和第二金属层。多个指状物中的第二指状物类型在第一区域耦合到第二金属层而在第二区域耦合到第一金属层和第二金属层。另外,第一指状物类型和第二指状物类型交替定位于彼此旁边。
申请公布号 CN102576605B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201080046212.3 申请日期 2010.11.10
申请人 马维尔国际贸易有限公司 发明人 D·M·辛诺夫;W·A·洛伊布
分类号 H01G4/232(2006.01)I 主分类号 H01G4/232(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 酆迅
主权项 一种集成电路,包括:无源设备;以及接地屏蔽电容器,布置于所述无源设备之下,其中所述接地屏蔽电容器包括:第一金属层,耦合到电源电压;第二金属层,耦合到地电势;以及径向布置的多个指状物,其中所述多个指状物包括:第一类型的多个指状物,第二类型的多个指状物,以及第三类型的多个指状物,其中将所述第一类型的多个指状物中的每个指状物分别交替定位于所述第二类型的多个指状物中的对应指状物的旁边,其中所述第三类型的多个指状物中的第一指状物将所述第一类型的多个指状物耦合到所述第一金属层,其中所述第三类型的多个指状物中的第二指状物将所述第二类型的多个指状物耦合到所述第二金属层,其中电容形成于经由所述第一金属层连接到所述电源电压的所述第一类型的多个指状物与经由所述第二金属层连接到所述地电势的所述第二类型的多个指状物之间,其中所述电容之间的间隙产生对于涡流的高阻抗,其中所述电容产生从所述电源电压到所述地电势的低阻抗AC耦合,其中所述第一类型的多个指状物还通过将所述第一金属层连接到第三金属层的通孔而被耦合到所述第三金属层,其中所述第二类型的多个指状物还通过将所述第二金属层连接到第四金属层的通孔而被耦合到所述第四金属层,其中所述多个指状物延伸超出所述无源设备的外围,以及其中使用所述接地屏蔽电容器的所述电容将所述无源设备调谐成在预定频率谐振。
地址 巴巴多斯圣米加勒