孔洞在先的硬掩模限定

摘要

本发明提供了一种半导体器件及制造方法，诸如，MTJ器件及制造MTJ器件的方法。该MTJ器件可以包括底部电极、MTJ堆叠件以及顶部电极，其中，使用孔洞填充技术形成该顶部电极。该顶部电极可以具有倾斜的侧壁。可以通过沉积对应的MTJ层来形成该MTJ堆叠件。可以在MTJ层上方形成并且图案化经过图案化的掩模，从而形成限定出顶部电极的开口。利用导电材料填充该开口，从而形成顶部电极。然后，将该顶部电极用作掩模来图案化MTJ层，从而形成MTJ堆叠件。本发明还提供了一种孔洞在先的硬掩模限定。

主权项

一种形成集成电路的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有形成在其上的底部电极层和磁隧道结堆叠层；形成覆盖着所述磁隧道结堆叠层的掩模层；在所述掩模层中形成开口，以暴露出所述磁隧道结堆叠层的一部分；在所述开口中形成顶部电极；以及使用所述顶部电极作为掩模来图案化所述磁隧道结堆叠层，从而形成磁隧道结堆叠件，其中，所述开口具有倾斜的侧壁。