具有不连续的半导体部分的微电子装置及制作这种装置的方法

摘要

本发明涉及一种微电子装置（100），包括：多个相似的不连续的半导体部分（104），所述半导体部分彼此电隔离并且形成半导体层（102），所述半导体部分以恒定的距离隔开并且包括与其他部分平行的形状；以及两个电极（108a、108b、108c、108d），所述电极设置成与半导体层接触，使得分隔两个电极的最大距离小于一个半导体部分的最大尺寸，其中，设置半导体部分的形状和尺寸、半导体部分之间的间距、电极的形状和尺寸以及电极相对于半导体部分的布局，使得至少一个半导体部分将两个电极彼此电连接，并且其中，半导体部分的最大尺寸垂直于电极的最大尺寸，所述电极是相似的。

主权项

一种微电子装置(100)，包括：多个不连续的半导体部分(104)，具有相似的尺寸L_SC、W_SC以及相似的形状，所述半导体部分彼此电隔离并且形成半导体层(102)，每个半导体部分(104)与相邻的半导体部分(104)的间距为恒定的距离E_SCH、E_SCV并且具有细长形状，每个半导体部分的最大尺寸L_SC与其他半导体部分(104)的最大尺寸L_SC平行，至少两个电极(108a、108b、108c、108d)，所述电极设置成与半导体层(102)接触，使得分隔所述两个电极(108a、108b、108c、108d)的最大距离L_通道小于其中一个所述半导体部分(104)的最大尺寸L_SC，其中，设置所述半导体部分(104)的形状和尺寸L_SC、W_SC，所述半导体部分(104)之间的间距E_SCH、E_SCV，所述电极(108a、108b、108c、108d)的形状和尺寸L_SD、W_SD以及所述电极(108a、108b、108c、108d)相对于所述半导体部分(104)的布局，使得至少一个所述半导体部分(104)将所述两个电极(108a、108b、108c、108d)彼此电连接，所述半导体部分(104)的最大尺寸L_SC垂直于所述电极(108a、108b、108c、108d)的最大尺寸W_SD，所述电极(108a、108b、108c、108d)具有相似的形状和尺寸W_SD、L_SD，所述半导体部分(104)布置在与所述半导体层(102)的主面平行的平面内，所述电极(108a、108b、108c、108d)设置成与所述半导体层接触，形成具有平行行的规则图案，一行上的所述半导体部分(104)之间的间距E_SCH相对于相邻行的所述半导体部分(104)之间的间距并沿着与各行平行的方向偏移距离D，该距离等于所述半导体部分(104)的最大尺寸L_SC除以n，其中，n为10至20之间的实数，并且其中，所述半导体部分(104)的最大尺寸L_SC等于分隔所述两个电极(108a、108b、108c、108d)的最大距离L_通道的n倍，和/或所述电极(108a、108b、108c、108d)的最大尺寸W_SD大于所述半导体部分(104)的最小尺寸W_SC的n倍。