发明名称 |
阻挡膜和包括该阻挡膜的电子装置 |
摘要 |
本发明提供了一种阻挡膜,该阻挡膜包括由半共价无机材料形成的第一层和由离子无机材料形成的第二层。此处,所述第一层和所述第二层交替设置。与仅使用金属氧化物或氮化物制得的现有技术中的阻气性塑料复合膜相比,本发明可以提供具有改善的阻湿性的阻挡膜。 |
申请公布号 |
CN102741047B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201080063162.X |
申请日期 |
2010.12.03 |
申请人 |
LG化学株式会社 |
发明人 |
黄樯渊;金东烈;马承乐 |
分类号 |
B32B7/02(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B27/14(2006.01)I;B32B27/28(2006.01)I;B32B27/36(2006.01)I;B32B27/38(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I |
主分类号 |
B32B7/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 |
代理人 |
黄丽娟;陈英俊 |
主权项 |
一种阻挡膜,该阻挡膜包括:由半共价无机材料形成的第一层,所述半共价无机材料是包括选自硅、铝、镁和镓中的至少一种金属的氧化物、氮化物或氮氧化物;和由离子无机材料形成的第二层,所述离子无机材料是包括选自钙、镍、锌、锆、铟、锡、钛和铈中的至少一种金属的氧化物、氮化物或氮氧化物,其中,所述第一层和所述第二层交替设置,所述第一层设置在包括第一层和第二层的层叠片的最上层和最下层上,其中,所述半共价无机材料和所述离子无机材料之间的结合能之差在0.1eV至3.9eV的范围内,并且该阻挡膜的透湿性为0.013g/m<sup>2</sup>·天或小于0.013g/m<sup>2</sup>·天。 |
地址 |
韩国首尔 |