发明名称 用于半导体器件的封装方法和结构
摘要 公开了用于半导体器件的封装方法和结构。在一个实施例中,封装的半导体器件包括再分布层(RDL),其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。至少一个集成电路连接至RDL的第一表面,以及多个金属凸块连接至RDL的第二表面。模塑料被设置在至少一个集成电路和RDL的第一表面的上方。
申请公布号 CN103000593B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201210190004.1 申请日期 2012.06.08
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林志伟;郑明达;吕文雄;林修任;张博平;刘重希;李明机;余振华;陈孟泽;林俊成;蔡钰芃;黄贵伟;林威宏
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;孙征
主权项 一种封装半导体器件,包括:再分布层(RDL),所述RDL包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;至少一个集成电路,连接至所述RDL的所述第一表面,其中,所述至少一个集成电路包括至少一个第一集成电路,还包括至少设置在所述RDL上方的至少一个第二集成电路,所述至少一个第二集成电路通过设置在所述RDL与所述至少一个第二集成电路之间的模塑料中的多个连接电连接至所述RDL;多个金属凸块,连接至所述RDL的所述第二表面;以及第一模塑料,设置在所述至少一个第一集成电路和所述RDL的所述第一表面的上方;第二模塑料,设置在所述至少一个第二集成电路的上方并且部分地直接接触所述第一模塑料。
地址 中国台湾新竹