一种MEMS器件的封装方法

摘要

本发明公开了一种MEMS器件的封装方法，包括S1在框架基板与封盖的内表面上对称附着图形化的过渡金属化层和钎料层；S2在框架基板的钎料层上附着图形化的自蔓延多层膜；S3将芯片键合固定在框架基板上并实现信号互连；S4将固定有芯片的框架基板与封盖进行除气除湿处理后对准堆叠形成封装结构；S5对封装结构施加压力、预热后引燃自蔓延多层膜，自蔓延多层膜燃烧并熔化钎料层实现冶金互连。本发明将封盖直接与框架基板键合，简化了生产工艺和结构，降低成本；在焊接过程中，自蔓延燃烧反应不会对封装内部真空度造成影响；反应升降温速度快，热影响区小，在钎料层熔化完成键合的同时，芯片及封盖不会受到热影响，提高了器件的可靠性，延长了工作寿命。

主权项

一种MEMS器件的封装方法，其特征在于，包括下述步骤：S1：在框架基板与封盖的内表面上对称附着图形化的过渡金属化层和钎料层；所述封盖为盒型陶瓷封盖，且与所述框架基板形成气密性空腔结构；所述步骤S1具体为：在所述盒型陶瓷封盖的底部涂覆一层钎料层；所述框架基板中，在与盒型陶瓷封盖对称位置依次附着过渡金属化层及钎料层；其中，所述陶瓷封盖底部的钎料层的材料为Pb基或Ag基钎料，所述框架基板上的钎料层为AuSn钎料；S2：在框架基板的钎料层上附着图形化的自蔓延多层膜；S3：将芯片键合固定在框架基板上并实现信号互连；S4：将固定有芯片的框架基板与封盖进行除气除湿处理后对准堆叠形成封装结构；S5：对所述封装结构施加压力、预热后引燃所述自蔓延多层膜，自蔓延多层膜燃烧并熔化所述钎料层实现冶金互连。