发明名称 |
用于光电子结构的载体和具有这种载体的光电子半导体芯片 |
摘要 |
提出一种用于光电子结构(2)的载体(1),其中部分地将电绝缘的钝化材料(16)设置在载体(1)的导电层(14)和载体侧的连接剂层(15)之间。此外,提出一种具有所述载体以及光电子结构(2)的光电子半导体芯片,所述光电子结构借助于载体侧的连接剂层(15)导电地且机械地与载体(1)连接。 |
申请公布号 |
CN103403891B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201280011601.1 |
申请日期 |
2012.01.23 |
申请人 |
欧司朗光电半导体有限公司 |
发明人 |
西格弗里德·赫尔曼;斯特凡·伊莱克 |
分类号 |
H01L33/48(2006.01)I;H01L33/62(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I;H05K1/18(2006.01)I;H05K3/34(2006.01)I;H05K1/11(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
张春水;田军锋 |
主权项 |
一种用于光电子结构(2)的载体(1),所述载体具有‑基体(11),‑在所述基体(11)的下侧(11b)上的至少一个n型侧的连接部位(13),‑在所述基体(11)的下侧(11b)上的至少一个p型侧的连接部位(12),‑在所述基体(11)的与下侧(11b)对置的上侧(11a)上的结构化的导电层(14),以及‑在结构化的所述导电层(14)的背离所述基体(11)的一侧上的结构化的且导电的载体侧的连接剂层(15),其中‑结构化的所述导电层(14)在第一区域(14a)中导电地与所述n型侧的连接部位(13)连接,‑结构化的所述导电层(14)在第二区域(14b)中导电地与所述p型侧的连接部位(12)连接,‑所述导电层(14)的所述第一区域(14a)和所述第二区域(14b)彼此电绝缘,‑载体侧的所述连接剂层(15)部分地与所述导电层(14)直接接触,‑在所述导电层(14)和载体侧的所述连接剂层(15)之间部分地设置有电绝缘的钝化材料(16),其中所述钝化材料(16)与所述导电层(14)和所述连接剂层(15)直接接触,其中存在载体侧的所述连接剂层(15)的下述至少一个区域:在所述至少一个区域中,载体侧的所述连接剂层(15)仅机械地与所述导电层(14)连接,其中机械连接由电绝缘的所述钝化材料(16)实现,并且在所述至少一个区域中在载体侧的所述连接剂层(15)和所述导电层(14)之间不存在导电的接触。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |