| 发明名称 | 绝缘栅双极型晶体管放大器电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种横向IGBT晶体管，其包括双极型晶体管和IGFET。横向IGBT包括在IGFET的漏极与双极型晶体管的基极之间的低电阻率连接、以及被布置在IGFET与双极型晶体管之间的隔离层。该新颖的结构提供了抗闩锁且给出较高增益和可靠性的器件。该结构可以利用可在代工厂获得的标准CMOS技术来实现。 | ||
| 申请公布号 | CN105264666A | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201480027380.6 | 申请日期 | 2014.05.12 |
| 申请人 | 埃克隆德创新公司 | 发明人 | K-H·埃克隆德 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种横向IGBT晶体管，其包括双极型晶体管和IGFET，其中IGFET是常规类型或是扩展漏极类型，其特征在于：‑在IGFET的漏极与双极型晶体管的基极之间的低电阻率连接，以及；‑布置在IGFET与双极型晶体管之间的隔离层，从而提供抗闩锁性。 | ||
| 地址 | 瑞典乌普萨拉 | ||