| 摘要 |
基板１上に、ポリシロキサンを含有する組成物のパターン２ａを得る工程と、前記基板にイオン不純物領域６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記イオン不純物領域の形成工程後、さらに、前記パターンを３００〜１，５００℃で焼成する工程、を有することを特徴とする。これにより、半導体基板へのイオン不純物領域の形成後に、ポリシロキサンを含有する組成物のパターン２ａの硬化膜を、残渣なく容易に除去することが可能となるため、半導体装置製造における歩留まり向上や、タクトタイム短縮が可能となる。 |
