纳米结构制造过程中的导电助层的沉积和选择性移除

摘要

本发明公开了一种制造一个或多个纳米结构的方法，所述方法包括：在基底的上表面沉积导电层；在所述导电层上沉积带图案的催化剂层；在所述催化剂层上生长一个或多个纳米结构；以及选择性地移除位于一个或多个纳米结构之间和周围的导电助层。本发明还公开了一种器件，包括基底，其中所述基底包括被一个或多个绝缘区域分开的一个或多个裸露金属岛；沉积在所述基底上的导电助层，所述导电助层至少覆盖一个或多个裸露金属岛或绝缘区域中的一部分；沉积在所述导电助层上的催化剂层；以及沉积在所述催化剂层上的一个或多个纳米结构。

主权项

一种制造纳米结构的方法，其特征在于，所述方法包括：在基底的上表面沉积导电助层；在所述导电助层上生长一个或多个纳米结构；以及利用所述纳米结构作为自对准掩模，选择性地移除位于所述纳米结构周围的所述导电助层，使得所述基底的所述上表面被暴露在所述纳米结构之间或周围。