发明名称 一种聚双噻吩吡咯及其制备方法及利用其制备的聚双噻吩吡咯/阵列式TiO<sub>2</sub>纳米管
摘要 一种聚双噻吩吡咯及其制备方法及利用其制备的聚双噻吩吡咯/阵列式TiO<sub>2</sub>纳米管,本发明涉及电致变色聚合物及其制备。本发明解决现有双噻吩类聚合物电子传输性能差,着变色效率差,变色速率慢的问题。结构通式:<img file="DDA0000528894030000011.GIF" wi="782" he="554" />1≤n≤100;制备方法:先双傅氏反应;再制备双叔丁基三苯胺基-2,5-二噻吩吡咯;然后电化学聚合;聚双噻吩吡咯/阵列式TiO<sub>2</sub>纳米管制备方法:先双傅氏反应;再制备双叔丁基三苯胺基-2,5-二噻吩吡咯;然后阳极氧化制备TiO<sub>2</sub>纳米管阵列膜;再TiO<sub>2</sub>溶胶的制备;然后TiO<sub>2</sub>/FTO纳米管阵列透明光电极的制备;最后电致变色器件的制备。本发明用于聚双噻吩吡咯及制备聚双噻吩吡咯/阵列式TiO<sub>2</sub>纳米管。
申请公布号 CN104086754B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201410299671.2 申请日期 2014.06.27
申请人 黑龙江大学 发明人 牛海军;温海林;马晓川
分类号 C08G61/12(2006.01)I;C07D409/14(2006.01)I;C25B3/00(2006.01)I;C08K7/24(2006.01)I;C08K3/22(2006.01)I 主分类号 C08G61/12(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 侯静
主权项 一种聚双噻吩吡咯,其特征在于一种聚双噻吩吡咯的结构通式为:<img file="FDA0000845311950000011.GIF" wi="781" he="552" />所述的n为1<n≤100。
地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号