发明名称 |
残影测试方法及系统 |
摘要 |
本发明提供一种残影测试方法及系统。该残影测试方法用于测试一待测元件的残影现象。该待测元件实质上由两间隔设置的基板、两设置在所述基板的相向侧上的配向层、一夹设在所述配向层之间的液晶层及两设置在所述基板的相背侧上的电极组成。该残影测试方法包含以下步骤:入射光线到该待测元件;施加一第一交流电压到该待测元件的电极;施加一直流电压到该待测元件的电极,该直流电压大于或等于10伏特;及施加一第二交流电压到该待测元件的电极,并测量穿透该待测元件的光线的强度。 |
申请公布号 |
CN103376575B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201310127599.0 |
申请日期 |
2013.04.12 |
申请人 |
达兴材料股份有限公司 |
发明人 |
蔡明睿;张立心;许持钧;林冠铭 |
分类号 |
G02F1/13(2006.01)I;G01N21/958(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/13(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
史新宏 |
主权项 |
一种残影测试方法,用于测试一个待测元件的残影现象,该待测元件实质上由两个间隔设置的基板、两个设置在所述基板的相向侧上的配向层、一个夹设在所述配向层之间的液晶层及两个设置在所述基板的相背侧上的电极组成,该残影测试方法包含以下步骤:(A)入射光线到该待测元件;(B)施加一个第一交流电压到该待测元件的电极;及(D)施加一个第二交流电压到该待测元件的电极,并测量穿透该待测元件的光线的强度;其特征在于:在步骤(B)中,还持续测量穿透该待测元件的光线的强度;在步骤(D)中,是持续测量穿透该待测元件的光线的强度;该残影测试方法还包含介在步骤(B)与步骤(D)之间的以下步骤:(C)施加一个直流电压到该待测元件的电极,该直流电压大于或等于10伏特;及该残影测试方法还包含以下步骤:(E)根据步骤(B)及步骤(D)所测量到的一连串的强度,产生一个图形。 |
地址 |
中国台湾台中市 |