发明名称 |
太阳能电池单元的制造方法以及太阳能电池单元制造系统 |
摘要 |
包括:第1工序,在第1导电类型的半导体基板的两面形成纹理构造;第2工序,测定形成了所述纹理构造的所述半导体基板的两面中的反射率分布;第3工序,在所述半导体基板的两面中的所述反射率分布小的一面侧形成扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层;第4工序,在所述杂质扩散层上形成与所述杂质扩散层电连接的规定的图案的受光面侧电极;以及第5工序,在所述半导体基板的两面中的所述反射率分布大的另一面侧形成背面侧电极。 |
申请公布号 |
CN103688370B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201180072355.6 |
申请日期 |
2011.08.02 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
唐木田昇市 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
张丽 |
主权项 |
一种太阳能电池单元的制造方法,其特征在于,包括:第1工序,在第1导电类型的半导体基板的两面形成纹理构造;第2工序,测定形成了所述纹理构造的所述半导体基板的两面中的反射率分布;第3工序,在所述半导体基板的两面中的所述反射率分布小的一面侧形成扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层;第4工序,在所述杂质扩散层上形成与所述杂质扩散层电连接的规定的图案的受光面侧电极;以及第5工序,在所述半导体基板的两面中的所述反射率分布大的另一面侧形成背面侧电极,在所述第4工序中,确定所述半导体基板的一面侧中的所述纹理构造的形成状态所引起的第1外观不良区域,从所述受光面侧电极的能够配置的多个配置方向中判定所述第1外观不良区域和所述受光面侧电极的图案重叠的面积更大的配置方向,形成所述受光面侧电极。 |
地址 |
日本东京 |