发明名称 形成镶嵌互连结构的机构
摘要 本发明提供了形成镶嵌互连结构的机构。形成上述互连结构的机构涉及使用经过回流的导电层。经过回流的导电层在较小开口中的厚度大于在较宽开口中的厚度。在一些实施例中,机构可以进一步涉及在回流导电层上方形成金属保护层。通过所述机构形成的互连结构具有更好的电气性能和可靠性性能。
申请公布号 CN103137599B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201210252298.6 申请日期 2012.07.19
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈建安;刘文俊;林俊杰;苏鸿文;蔡明兴;章勋明
分类号 H01L23/522(2006.01)I;H01L23/535(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L23/522(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;孙征
主权项 一种互连结构,包括:第一沟槽;以及第二沟槽,其中,所述第二沟槽比所述第一沟槽宽,这两个沟槽均衬有扩散阻挡层,并且第一导电层沉积在所述扩散阻挡层上方,金属保护层沉积在所述第一导电层上方,以及第二导电层沉积在所述第二沟槽中的所述金属保护层上方,所述第二沟槽内的所述金属保护层与所述扩散阻挡层直接接触。
地址 中国台湾新竹