发明名称 功率半导体模块及其制造方法
摘要 本发明涉及功率半导体模块及其制造方法。以低成本提供具有高的冷却性能的功率半导体模块。半导体芯片(120a、140a)的第一芯片主面与热分流器(160a)接合,半导体芯片(120a、140a)的第二芯片主面与第一电极(250a)接合。半导体芯片(120b、140b)的第一芯片主面与热分流器(160b)接合,半导体芯片(120b、140b)的第二芯片主面与第一电极(250b)接合。多个电极(250a、250b、270b、290a、290b)由引线框供给。从热分流器(160a、160b)观察,在与芯片(120a、140a、120b、140b)相反的一侧设置有绝缘构件(210)。从第一电极(250a、250b)观察,在与芯片(120a、140a、120b、140b)相反的一侧设置有绝缘基板。
申请公布号 CN103219301B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201210385725.8 申请日期 2012.10.12
申请人 三菱电机株式会社 发明人 碓井修;吉松直树;菊池正雄
分类号 H01L23/433(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L23/433(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 何立波;张天舒
主权项 一种树脂密封型的功率半导体模块,其特征在于,具有:多个单位结构体,该单位结构体包括:多个半导体芯片,分别具有第一芯片主面以及第二芯片主面;热分流器,利用第一接合构件与所述多个半导体芯片的所述第一芯片主面接合并且具有导电性,并且,该功率半导体模块具有:绝缘构件,从所述热分流器观察,位于与所述多个半导体芯片相反的一侧;以及多个电极,包括分别利用第二接合构件与预定部位接合的多个主电极,所述多个主电极包括:多个第一电极,分别利用所述第二接合构件与所述多个半导体芯片中的预定的芯片的所述第二芯片主面接合;以及第二电极,利用所述第二接合构件与所述热分流器的芯片搭载面接合,该功率半导体模块具有:绝缘基板,该绝缘基板包括:绝缘层,从所述多个第一电极观察,位于与所述多个半导体芯片相反的一侧;第一导电层,位于所述绝缘层和所述多个第一电极之间,利用第三接合构件与所述多个第一电极接合;模塑树脂,在所述绝缘构件中远离所述多个半导体芯片的一侧的面、所述绝缘基板中远离所述多个半导体芯片的一侧的面、所述多个电极的外部端子部分露出的状态下密封所述多个单位结构体和所述多个电极,所述多个电极由预先形成有该多个电极的引线框提供,所述多个第一电极包括串联连接型的第一电极,该串联连接型的第一电极在一个单位结构体中与所述第二芯片主面接合,并且,在其他单位结构体中与所述热分流器的芯片搭载面接合,所述串联连接型的第一电极由从所述引线框切出的单一构件构成。
地址 日本东京都