| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构包括设置在衬底上方的介电层。金属线被设置在介电层中。硅通孔(TSV)结构连续地延伸穿过介电层和衬底。金属线的表面与TSV结构的表面基本上齐平。本发明还提供了一种半导体结构及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102832200B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201110382468.8 | 申请日期 | 2011.11.24 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 邱文智;吴仓聚;杨固峰;陈新瑜 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：介电层，被设置在衬底上方，所述介电层包括连续地延伸的第一部分和第二部分；金属线，被设置在所述介电层的第二部分中；以及硅通孔结构，连续地延伸穿过所述介电层的所述第一部分、所述介电层的所述第二部分和所述衬底，其中，所述金属线的表面与所述硅通孔结构的表面齐平；其中，所述介电层的第一部分位于所述硅通孔结构和所述衬底之间，所述介电层的第二部分位于所述衬底上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||