| 发明名称 | 自对准导电凸块结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本披露涉及半导体器件的导电凸块结构。用于半导体器件的典型结构包括基板，其包括主表面和在基板的主表面之上分布的导电凸块。导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体，并且导电凸块的第二子集中的每个都包括环形体。 | ||
| 申请公布号 | CN102903696B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201210047895.5 | 申请日期 | 2012.02.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄震麟;陈依婷;施应庆;蔡柏豪;卢思维;林俊成;郑心圃;余振华 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：基板，包括主表面；以及导电凸块，分布在所述基板的所述主表面之上，并且包括第一子集和第二子集，其中，所述导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体，并且所述导电凸块的第二子集中的每个都包括对应地设置在环形导电层上的环形体，其中，通过应用所述环形体与其他器件卡合，所述导电凸块被构造为自对准导电凸块。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||