一种单极型忆阻器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种单极型纳米薄膜忆阻器，包括两个电极及置于其中的Ba_(1-x)Sr_xTiO_3-δ纳米薄膜，其中，0<x<1，0<δ<3；X射线衍射测得所述薄膜的主晶相为Ba_(1-x)Sr_xTiO₃，实际为富含氧缺陷即氧空位的Ba_(1-x)Sr_xTiO_3-δ；所述薄膜为单层薄膜结构，厚度为20-800纳米。本发明还公开了一种单极型纳米薄膜忆阻器的制备方法。本发明所述单极型纳米薄膜忆阻器特别适用于一般电路理论研究和电路设计、具有一般性和普适性、价格低廉且易于物理实现的单极型忆阻器。

主权项

一种单极型纳米薄膜忆阻器，其特征在于：包括两个电极及置于二者之间的Ba_(1‑x)Sr_xTiO_3‑δ纳米薄膜，其中，0<x<1，0<δ<3；其中，所述Ba_(1‑x)Sr_xTiO_3‑δ纳米薄膜为单层薄膜结构，厚度为20‑800纳米；所述Ba_(1‑x)Sr_xTiO_3‑δ纳米薄膜厚度为纳米级，很小的电压就会产生巨大的电场，Ba_(1‑x)Sr_xTiO_3‑δ与空气接触的表面在偏压作用下会与空气中的氧发生O²+4e^‑→2O^2‑反应，而使薄膜内产生空穴，同时，在薄膜内部受偏压作用影响发生O^2‑→e^‑+O^‑反应，空穴及电离氧离子O^‑作为主要载流子在电场作用下定向移动，随着空穴及电离氧离子O^‑产生量的变化会导致两电极之间的电阻变化，与之对应所述Ba_(1‑x)Sr_xTiO_3‑δ纳米薄膜呈现最小或最大两种不同的电阻。