具备静电防护功能的芯片

摘要

本发明涉及集成电路，公开了一种具备静电防护功能的芯片。本发明中，在静电防护模块的周边环境中，将左右两侧的P+GUARD RING去掉，保留上下的P+GUARD RING。由于去掉左右两侧的P+GUARD RING后，从静电防护模块中的任意一个finger上看到的P+GUARD RING是完全一样的，因此静电防护模块中各个MOS管的finger到P+GUARD RING的电阻是趋近一致的，从而使得静电防护模块中的各个finger的导通能力也是趋近一致的，使得MOS管可以均匀导通，进而在不增加面积的情况下保证芯片的静电防护性能。

主权项

一种具备静电防护功能的芯片，其特征在于，所述芯片包含：N个MOS管构成的静电防护模块，N为自然数，所述静电防护模块用于为所述芯片提供静电防护功能；其中，在所述静电防护模块的周边，仅在所述静电防护模块的上下两侧存在衬底连接，在所述静电防护模块的左右两侧不存在衬底连接；所述芯片包含至少2个并列排放的所述静电防护模块；所述静电防护模块上下两侧的衬底连接，与相邻静电防护模块上下两侧的衬底连接相通，所述衬底连接是保护环的一部分。