发明名称 离子碾磨装置
摘要 本发明的目的在于提供离子碾磨装置,能够在将离子束照射至试样并进行加工的离子碾磨装置中,与照射离子束时的试样的变形等无关地,高精度地进行试样的温度控制,例如提出有如下离子碾磨装置的方案,具有支撑将上述试样的一部分暴露于上述离子束并将该试样相对于离子束遮蔽的遮蔽件的遮蔽件支撑部件、和控制该遮蔽件支撑部件与上述试样台的至少一方的温度的温度控制机构,具备在上述离子束的照射中使上述试样台的与试样的接触面追随上述试样的变形而移动的移动机构、和配置在上述遮蔽件与试样之间并在上述离子束的照射中追随上述试样的变形而变形的试样保持部件中的至少一个。
申请公布号 CN105264632A 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201480032691.1 申请日期 2014.04.28
申请人 株式会社日立高新技术 发明人 金子朝子;高须久幸;武藤宏史;岩谷彻;许斐麻美
分类号 H01J37/20(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I;H01J37/30(2006.01)I 主分类号 H01J37/20(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 张敬强;严星铁
主权项 一种离子碾磨装置,具备支撑被离子束照射的试样的试样台,上述离子碾磨装置的特征在于,具有支撑将上述试样的一部分暴露于上述离子束并将该试样相对于离子束遮蔽的遮蔽件的遮蔽件支撑部件、和控制该遮蔽件支撑部件与上述试样台的至少一方的温度的温度控制机构,具备在上述离子束的照射中使上述试样台的与试样的接触面追随上述试样的变形而移动的移动机构、和配置在上述遮蔽件与试样之间并在上述离子束的照射中追随上述试样的变形而变形的试样保持部件中的至少一个。
地址 日本东京都