发明名称 | 混合式存储器架构 | ||
摘要 | 用于提供具有易失性和非易失性存储器的混合式存储器模块来替代处理系统中的DDR通道的方法和装置。 | ||
申请公布号 | CN102667735B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
申请号 | CN201080059364.7 | 申请日期 | 2010.11.29 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | K·K·钦纳斯瓦密;R·B·奥斯本;E·W·彼得 |
分类号 | G06F12/00(2006.01)I;G06F13/10(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张东梅 |
主权项 | 一种具有集成电路(IC)封装的系统,所述系统包括:设置在IC封装内的处理核,所述处理核具有至少一个双数据率(DDR)通道;混合式存储器模块,包括:经由IC封装内的内部接口与所述处理核相耦合的易失性存储器,所述易失性存储器用作末级硬件管理的高速缓存存储器,且高速缓存未命中由外部存储器服务,其中如果在混合式存储器模块中发现所请求的数据,则存在高速缓存命中情况,如果在混合式存储器模块中未发现所请求的数据,则存在高速缓存未命中情况;经由所述IC封装内的内部接口与所述处理核相耦合的非易失性存储器,所述非易失性存储器用作盘高速缓存,以抵消对应于双数据率(DDR)通道的双列直插式存储器模块(DIMM)的存储器容量和存储器带宽;与所述处理核相耦合的存储器接口,所述存储器接口经由所述至少一个双数据率(DDR)通道提供至外部存储组件的通信接口,其中外部存储器在混合式存储器模块的外部,且如果存在高速缓存未命中情况,则在外部存储器中搜索所请求的数据。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |