发光二极管装置

摘要

本发明为一种发光二极管装置，包含至少一发光二极管单元，其具有一基板，一位于基板上的电性耦合层，位于电性耦合层上的并接型磊晶结构，及位于电性耦合层与并接型磊晶结构之间的中间层。在另一实施例中，并接型磊晶结构位于导电层上，电性耦合层位于并接型磊晶结构上，且中间层位于并接型磊晶结构与电性耦合层之间。

主权项

一种发光二极管装置，包含：至少一发光二极管单元，该发光二极管单元包含：一基板；一电性耦合层，位于所述基板上，该电性耦合层材质系为III族氮化物；一并接型磊晶结构，位于所述电性耦合层上；及一中间层，位于所述电性耦合层与所述并接型磊晶结构之间；其中所述并接型磊晶结构包含：一第一p型掺杂层，位于所述中间层上；一第一量子阱层，位于所述第一p型掺杂层上；一n型掺杂层，位于所述第一量子阱层上；一第二量子阱层，位于所述n型掺杂层上；及一第二p型掺杂层，位于所述第二量子阱层上；其中所述中间层使得所述电性耦合层与所述第一p型掺杂层之间的压降趋近于零。