有源区键合兼容高电流的结构

摘要

本发明涉及一种有源区键合兼容高电流的结构。一种在键合焊盘下具有电路的集成电路。在一个实施例中，该集成电路包括：衬底；顶部导电层；一层或多层中间导电层；绝缘材料层和器件。顶部导电层具有至少一个键合焊盘和相对坚硬的材料亚层。一层或多层中间导电层形成于顶部导电层和衬底之间。绝缘材料层分离导电层。而且，绝缘层中的一层相对较硬且位于顶部导电层与最接近顶部导电层的中间导电层之间。器件形成在集成电路中。另外，至少最接近于顶部导电层的中间导电层适合于键合焊盘下的选择器件的实用互连。

主权项

一种形成半导体结构的方法，该方法包括：在衬底上形成一个或多个中间金属层；在所述一个或多个中间金属层上形成顶部金属层，其中，所述一个或多个中间金属层和所述顶部金属层通过绝缘材料的相应部分而被彼此分离；在所述顶部金属层上形成钝化层；以及对所述钝化层进行构图以暴露所述顶部金属层的一部分，所述顶部金属层的暴露部分包括键合焊盘；在所述顶部金属层的暴露部分正下方形成一个或多个导线，所述一个或多个导线中的每个导线由所述一个或多个中间金属层中的相应一个中间金属层的部分形成；其中，在所述顶部金属层的暴露部分正下方的所述一个或多个导线通过绝缘材料与所述键合焊盘电隔离；其中，在所述键合焊盘和位置最接近顶部金属层的在下面的导线之间形成的绝缘材料的相应部分具有至少1.5微米的厚度，其中，在绝缘材料的相应部分的所述键合焊盘下面的区域不被通孔中断。