| 发明名称 | 发光二极管外延片及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，其特征在于，包括：低温缓冲层GaN；不掺杂GaN层，位于所述低温缓冲层GaN之上；uAl超晶格层，位于所述不掺杂GaN层之上；N型GaN层，位于所述uAl超晶格层之上；第一势垒层，位于所述N型GaN层之上；浅量子阱层，位于所述第一势垒层之上；多量子阱层，位于所述浅量子阱层之上；电子阻挡层，位于所述多量子阱层之上；掺Mg的P型GaN层，位于所述电子阻挡层之上，以及CTL层，位于所述掺Mg的P型GaN层之上。本申请提出的发光二极管的外延片及其制作方法，通过增加uAl超晶格层结构，能显著提高反向电压。 | ||
| 申请公布号 | CN105261680A | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201510555424.9 | 申请日期 | 2015.09.01 |
| 申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 向锦涛;苏军;刘为刚;徐平 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人 | 何自刚 |
| 主权项 | 一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括：低温缓冲层GaN；不掺杂GaN层，位于所述低温缓冲层GaN之上；uAl超晶格层，位于所述不掺杂GaN层之上；N型GaN层，位于所述uAl超晶格层之上；第一势垒层，位于所述N型GaN层之上；浅量子阱层，位于所述第一势垒层之上；多量子阱层，位于所述浅量子阱层之上；电子阻挡层，位于所述多量子阱层之上；掺Mg的P型GaN层，位于所述电子阻挡层之上，以及CTL层，位于所述掺Mg的P型GaN层之上。 | ||
| 地址 | 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区 | ||