发明名称 基材蚀刻系统与制程的方法及设备
摘要 本发明的实施例涉及一种基材蚀刻系统与制程的方法及设备。在一个实施例中,方法可以包括:在沉积制程期间沉积材料于该基材上;在第一蚀刻制程期间蚀刻该基材的第一层;以及在第二蚀刻制程期间蚀刻该基材的第二层,其中在该第一蚀刻制程期间施加第一偏压功率到该基材,以及其中在该第二蚀刻制程期间施加第二偏压功率到该基材。在另一实施例中,系统可以包括气体输送系统,该气体输送系统包含:第一气体盘,其用于供应第一气体到腔室;第二气体盘,其用于供应第二气体到该腔室;以及多个流量控制器,其用于引导这些气体到该腔室,以促进进出该腔室和这些气体盘的这些气体之间的快速气体过渡。
申请公布号 CN102446739B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201110402772.4 申请日期 2009.03.19
申请人 应用材料公司 发明人 夏尔马·V·帕马斯;乔恩·C·法;科哈伊德·西拉朱迪茵;伊兹拉·R·高德;詹姆斯·P·克鲁斯;斯科特·奥尔斯则维斯基;罗伊·C·南古伊;萨拉弗野特·辛加;道格拉斯·A·布池贝尔格尔;札瑞德·A·李;张春雷
分类号 H01L21/3065(2006.01)I 主分类号 H01L21/3065(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍
主权项 一种快速气体交换系统,包含:第一流量控制器,其被构造为接收来自第一气体盘的气体;第一出口;第一流线,其使所述第一流量控制器连通于所述第一出口;第一阀,其通过所述第一流线来控制所述第一流量控制器与所述第一出口之间的流量;第二出口;第二流线,其使所述第一流量控制器连通于所述第二出口;第二阀,其通过所述第二流线来控制所述第一流量控制器与所述第二出口之间的流量;第二流量控制器,其被构造为接收来自第二气体盘的气体,其中一个或多个阀位于所述第一流量控制器和所述第一出口、所述第二出口之间,一个或多个阀位于所述第二流量控制器和所述第一出口、所述第二出口之间,以控制气体到所述第一出口和所述第二出口的输送;第三流线,其使所述第二流量控制器连通于所述第一出口;第三阀,其通过所述第三流线来控制所述第二流量控制器与所述第一出口之间的流量;第四流线,其使所述第二流量控制器连通于所述第二出口;以及第四阀,其通过所述第四流线来控制所述第二流量控制器与所述第二出口之间的流量;以及排放口,其中所述第一流量控制器经由所述第一流线和所述第二流线连通于所述排放口,所述第二流量控制器经由所述第三流线和所述第四流线连通于所述排放口,其中,所述第一流线、所述第二流线、所述第三流线和所述第四流线独立地耦接到排放口流线。
地址 美国加利福尼亚州