发明名称 半导体晶片表面保护用粘合带
摘要 一种半导体晶片表面保护用粘合带,其中,在基材膜上具有压敏型粘合剂的粘合剂层,该粘合剂层的厚度为10μm以上,该粘合剂层表面的表面自由能γ<sub>s</sub>为30~35mN/m,对二碘甲烷的接触角θ<sub>l</sub><sup>I</sup>为54°~60°,在23℃对SUS280抛光面的粘合力为0.8~4.3N/25mm,且在50℃的加热剥离时的对SUS280抛光面的粘合力相对于在23℃的剥离时的粘合力为50%以下。
申请公布号 CN104093802B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201380006924.6 申请日期 2013.02.12
申请人 古河电气工业株式会社 发明人 横井启时;内山具朗
分类号 C09J7/02(2006.01)I;C09J133/00(2006.01)I;C09J201/00(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I 主分类号 C09J7/02(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 丁香兰;庞东成
主权项 一种半导体晶片表面保护用粘合带,其特征在于,在基材膜上具有压敏型粘合剂的粘合剂层,该粘合剂层由乳液系粘合剂构成,该粘合剂层不含有蜡和增塑剂,该粘合剂层含有(甲基)丙烯酸系聚合物型共聚物且不含固化剂,所述(甲基)丙烯酸系聚合物型共聚物是将(甲基)丙烯酸的无取代烷基酯作为必需的单体成分,并且单体成分的至少一种为在醇部分取代有环氧基或氧杂环丁烷基的(甲基)丙烯酸的取代烷基酯,该粘合剂层的厚度为10μm以上,该粘合剂层表面的表面自由能γ<sub>s</sub>为30~35mN/m,对二碘甲烷的接触角θ<sub>l</sub><sup>I</sup>为54°~60°,在23℃对SUS280抛光面的粘合力为0.8~4.3N/25mm,且在50℃的加热剥离时的对SUS280抛光面的粘合力与在23℃的剥离时的粘合力相比为50%以下,所述(甲基)丙烯酸系聚合物型共聚物不含有多官能单体成分。
地址 日本东京都