发明名称 显示装置及其制造方法
摘要 本发明的显示装置及其制造方法的目的在于防止因入射光导致的可靠性降低以及绝缘耐压降低。栅极绝缘膜(30)随着栅电极(26)的表面形状而具有凸部(32),具有高度从栅电极的周缘沿着栅电极的表面而变化的层差部(34)。氧化物半导体层(40)以具有晶体管构成用区域(42)和覆盖区域(50)的方式设置在栅极绝缘膜上,晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域,覆盖区域是与晶体管构成用区域分离并覆盖栅极绝缘膜的层差部的区域。在氧化物半导体层的沟道区域上设置有沟道保护层。与氧化物半导体层的源极区域以及漏极区域接触地设置有源电极以及漏电极。在源电极以及漏电极上设置有钝化层。
申请公布号 CN103633098B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201310307336.8 申请日期 2013.07.18
申请人 株式会社日本显示器 发明人 植村典弘;野田刚史;三宅秀和;铃村功
分类号 H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/12(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 杨宏军;马立荣
主权项 一种显示装置,其特征在于,具有:基板;栅电极,其设置在所述基板上;栅极绝缘膜,其以覆盖所述栅电极的方式设置在所述基板上,随着所述栅电极的表面形状而具有凸部,具有高度沿着从所述栅电极的周缘升起的形状而变化的层差部;氧化物半导体层,其以具有晶体管构成用区域和覆盖区域的方式设置在所述栅极绝缘膜上,所述晶体管构成用区域是连续一体地具有沟道区域、源极区域以及漏极区域的区域,所述覆盖区域是与所述晶体管构成用区域分离并覆盖所述栅极绝缘膜的所述层差部的区域;沟道保护层,其设置在所述氧化物半导体层的所述沟道区域上;源电极以及漏电极,其分别与所述氧化物半导体层的所述源极区域以及所述漏极区域接触地设置;以及钝化层,其设置在所述源电极以及所述漏电极上。
地址 日本东京都