发明名称 半导体封装件及其制法
摘要 一种半导体封装件及其制法,包括:具有相对的第一与第二表面及侧面的介电层;铜材的线路层,其形成于该介电层的第一表面上,该线路层具有延伸垫;表面处理层,其形成于该线路层上;半导体芯片,其设于该线路层上并电性连接该表面处理层;以及形成于该介电层的第一表面上的封装胶体,其包覆该半导体芯片、线路层及表面处理层,且外露该介电层的第二表面,又该介电层的侧面与该封装胶体之间具有通孔,使该延伸垫位于该通孔中。借由外露于通孔的延伸垫结合焊球,因铜材与焊锡材料之间的电性连接较佳,所以可提升电性连接的品质。
申请公布号 CN102842546B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201110193715.X 申请日期 2011.07.06
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 洪良易;白裕呈;孙铭成;林俊贤
分类号 H01L23/488(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;王锦阳
主权项 一种半导体封装件,包括:介电层,其具有相对的第一表面与第二表面、及相邻该第一表面与第二表面的侧面;铜材的线路层,其形成于该介电层的第一表面上;表面处理层,其形成于该线路层上;半导体芯片,其设于该线路层上方并电性连接该线路层与表面处理层;以及封装胶体,其形成于该介电层的第一表面上且延伸至该介电层的侧面以包覆该半导体芯片、线路层及表面处理层,且外露该介电层的第二表面,又该介电层的侧面与该封装胶体之间具有通孔,使部分该表面处理层位于该通孔中,且该通孔由该介电层的侧面、该封装胶体及部分该表面处理层所界定出。
地址 中国台湾台中市