发明名称 | 一种直接制备纯8-羟基喹啉铝的方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种直接制备纯8-羟基喹啉铝的方法,以二乙酸氢氧化铝和8-羟基喹啉为原料,包括二个步骤。第一步混料:按照摩尔比为二乙酸氢氧化铝:8-羟基喹啉=1:3,将反应原料加入混料机中,混合均匀;第二步热熔反应:将混合均匀的反应原料转移至反应器中,充入氮气驱除反应器中的空气后,并且在氮气保护下,升温至120℃~130℃,反应2h~3h;反应完毕,冷却至室温,出料,获得纯度为98%~99%的8-羟基喹啉铝。本发明具有流程短、产率高、无废液排放、生产成本低等优点。 | ||
申请公布号 | CN104151238B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
申请号 | CN201410366779.9 | 申请日期 | 2014.07.30 |
申请人 | 南昌航空大学 | 发明人 | 钟学明 |
分类号 | C07D215/30(2006.01)I | 主分类号 | C07D215/30(2006.01)I |
代理机构 | 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 | 代理人 | 欧阳沁 |
主权项 | 一种直接制备纯8‑羟基喹啉铝的方法,其特征在于:所述的方法采用热熔反应体系,在氮气保护下,以二乙酸氢氧化铝和8‑羟基喹啉为反应原料,直接制备纯8‑羟基喹啉铝,具体通过以下步骤来实现:第一步,混料按照摩尔比为二乙酸氢氧化铝:8‑羟基喹啉=1:3,将反应原料加入混料机中,混合均匀;第二步,热熔反应将混合均匀的反应原料转移至反应器中,充入氮气驱除反应器中的空气后,并且在氮气保护下,升温至120℃~130℃,反应2 h~3 h;反应完毕,冷却至室温,出料,获得纯度为98%~99%的8‑羟基喹啉铝。 | ||
地址 | 330063 江西省南昌市丰和南大道696号 |