| 主权项 |
用于制造用于微机械电子系统(5)的封装装置(3)的方法(21)，其特征在于，所述方法包括以下步骤：a)形成所述微机械电子系统(5)、一主要部分(2)和一盖(4、44)，该主要部分形成腔(10)；b)分别在该主要部分(2)和该盖(4、44)上沉积第一和第二金属化部分(9、11、49)，该第一和第二金属化部分分别包括由第一抗氧化材料部(18、19、57)保护的至少一个第一金属部(13、14、15、16、35、55)以及由第二抗氧化材料部(18、19、57)保护的至少一个第二金属部(13、14、15、16、35、55)；c)仅在第一和第二金属化部分(9、11、49)的一个上沉积熔点低于250℃的材料(12、52)的层(12、52、72)；d)使该熔点低于250℃的材料(12、52)部分地扩散到仅该第一和第二抗氧化材料部(18、19、57)的一个中，以便完全地将所述第一和第二抗氧化材料部(18、19、57)的一个转变成由所述第一和第二抗氧化材料部(18、19、57)的一个以及所述熔点低于250℃的材料形成的金属间化合物(19)，由此保护该至少一个第一金属部和该至少一个第二金属部(13、14、15、16、35、55)之一，并且留下该熔点低于250℃的材料的未扩散部分(12’、52’)；e)在所述主要部分(2)的腔(10)中安装(25)所述微机械电子系统(5)；f)靠着所述第一和第二金属化部分(9、11、49)的另一个装配(27)所述熔点低于250℃的材料的未在步骤d)中扩散的部分(12’、52’)；g)使该熔点低于250℃的材料的未在步骤d)中扩散的部分(12’、52’)完全地扩散(29)到所述第一和第二金属化部分(9、11、49)的另一个中，以便完全地将该熔点低于250℃的材料的未在步骤d)中扩散的部分(12’、52’)转变成由所述第一和第二抗氧化材料部(18、19、57)的另一个、所述熔点低于250℃的材料(12、52)以及所述至少一个第一金属部和至少一个第二金属部(13、14、15、16、35、55)的另一个形成的第二金属间化合物(20)，由此在所述封装装置(3)中气密地封闭所述微机械电子系统(5)。 |
