发明名称 |
紫外线感测元件以及制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种可有效地提高紫外线感测的质量,达到高讯噪比的效果的紫外线感测元件,可使用于三晶体管影像感测电路中,包括:一第一导电型基材,具有一受光面以供接收受感测光;一第二导电型掺杂区,设置于该第一导电型基材内且邻接于该受光面;以及一高浓度第一导电型掺杂区,邻接于该第二导电型掺杂区下方。亦提供可使用于四晶体管影像感测电路中的另一种紫外线感测元件。还提供上述元件的制作方法。本发明的紫外线感测元件及制作方法,利用邻接于第二导电型掺杂区下的高浓度第一导电型掺杂区,形成一电位障碍,使来自较长波段光线的漂移光电子不易通过电位障碍而进入浅层的第二导电型掺杂区,减少干扰紫外线波段的讯号判读而增加讯噪比。 |
申请公布号 |
CN103531649B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201210233262.3 |
申请日期 |
2012.07.06 |
申请人 |
原相科技股份有限公司 |
发明人 |
刘汉琦;潘焕堃;冈本英一 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
陈肖梅;谢丽娜 |
主权项 |
一种紫外线感测元件,供使用于一影像感测电路中,其特征在于,该紫外线感测元件包括:一第一导电型基材,具有一受光面以供接收受感测光;一第二导电型掺杂区,设置于该第一导电型基材内且邻接于该受光面;以及一高浓度第一导电型掺杂区,邻接于该第二导电型掺杂区下方,由此,在该高浓度第一导电型掺杂区形成电位障碍而阻隔较长波段光线所感应产生的光电子。 |
地址 |
中国台湾新竹 |