ECR-PEMOCVD系统对InN/ZnO/自支撑金刚石膜结构的制备方法

摘要

本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种可低温制备电学性能良好、散热性能良好的InN光电薄膜的ECR-PEMOCVD系统对InN/ZnO/自支撑金刚石膜结构的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）ZnO薄膜是在磁控溅射设备上利用射频磁控溅射技术溅射而成的，靶材为ZnO陶瓷靶，工作气体是氩气。

主权项

ECR‑PEMOCVD系统对InN/ZnO/自支撑金刚石膜结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将自支撑金刚石膜基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室，超声波清洗时间为5分钟；2）ZnO薄膜是在磁控溅射设备上利用射频磁控溅射技术溅射而成的，靶材为ZnO陶瓷靶，工作气体是氩气；自支撑金刚石衬底与靶材的距离为5.5cm，工作气压为0.5Pa，溅射功率为100W，衬底温度为250℃，反应溅射时间为1h；3）最后采用ECR‑PEMOCVD系统，将反应室抽真空，将基片加热至500℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量分别为4sccm与100sccm，控制气体总压强，电子回旋共振反应3h，得到在ZnO/自支撑金刚石膜结构上的InN光电薄膜；反应室抽真空至8.0×10^‑4Pa，由质量流量计控制三甲基铟与氮气的流量，控制气体总压强为1.2Pa，电子回旋共振功率为650W；所述自支撑金刚石膜基片是在热丝CVD系统中甲烷和氢气的反应源条件下制备的，自由站立金刚石厚度为1mm；所述三甲基铟的纯度、氩气的纯度、氮气的纯度和ZnO陶瓷靶的纯度均为99.99%。