| 发明名称 | 溅射靶及氧化物半导体膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种溅射靶，其是含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物的溅射靶，其中，含有ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>所示的化合物及InGaZnO<sub>4</sub>所示的化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN102212787B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201110128377.1 | 申请日期 | 2007.11.30 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;矢野公规;宇都野太 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种非晶质半导体膜形成用溅射靶，其特征在于，其未经过还原工序而制得，以InGaZnO<sub>4</sub>所示的化合物为主要成分，且含有正四价以上的金属元素，所述正四价以上的金属元素为从由锡、铈、铌、钽、钼及钨构成的组中选择的1种以上的元素，相对于溅射靶中的全部金属元素，所述正四价以上的金属元素的含量为100重量ppm～2000重量ppm，所述溅射靶的体积电阻不到1×10<sup>‑3</sup>Ωcm。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||