发明名称 自旋转移力矩-磁性隧道结装置和操作方法
摘要 本发明揭示一种方法,所述方法包括控制经由磁性存储器装置的源极线或位线发送的电流的电流流动方向。电流产生的磁场辅助切换自旋转移力矩磁性隧道结(STT-MTJ)装置内的磁性元件的自由层的磁场的方向。
申请公布号 CN102449700B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201080023820.2 申请日期 2010.05.28
申请人 高通股份有限公司 发明人 李霞;李康浩;朱晓春;升·H·康
分类号 G11C11/16(2006.01)I 主分类号 G11C11/16(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种操作自旋转移力矩磁性隧道结装置的方法,所述方法包含控制待经由源极线和位线中的至少一者发送的电流的电流流动方向以产生电流产生的磁场,从而辅助切换自旋转移力矩磁性隧道结STT‑MTJ装置内的磁性存储器元件的自由层的磁场的方向,其中所述源极线与所述STT‑MTJ装置的易磁化轴正交。
地址 美国加利福尼亚州
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