发明名称 | 半色调掩模及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种半色调掩模及其制造方法,用来使用单一半透过材料形成多个半透过单元,其中,所述半色调掩模包括:基底;透射区,形成在所述基底上以透射预定波长范围内的辐射光;以及半透过区,形成在所述基底上,具有多个半透过单元,这些半透过单元使用所述预定波长范围根据半透过材料的厚度或层叠层的数目具有多个互不相同的透射率。 | ||
申请公布号 | CN102449735B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
申请号 | CN201080023383.4 | 申请日期 | 2010.05.26 |
申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 金武成 |
分类号 | H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 许向彤;林锦辉 |
主权项 | 一种半色调掩模的制造方法,该方法包括:在基底上依次层叠第一层的半透过材料、阻挡层和第一光刻胶;对所述阻挡层的第一部分进行曝光;去除所述阻挡层的所述第一部分以及所述第一层的对应部分;层叠第二光刻胶;对所述阻挡层的第二部分进行曝光;去除所述阻挡层的所述第二部分;层叠第二层的半透过材料和第三光刻胶,该第二层比第一层更厚;对该第二层的第一部分和第二部分进行曝光,该第二层的第一部分位于所述基底上,该第二层的第二部分位于所述阻挡层上;去除该第二层的第一部分和第二部分以及与第二层的第二部分对应的阻挡层,其中,在去除了所述第二层的第二部分和对应于所述第二层的第二部分的阻挡层的位置处保留所述第一层;其中,所述第一层的半透过材料和第二层的半透过材料使用单一半透过材料形成。 | ||
地址 | 韩国首尔 |