发明名称 半导体存储装置及包括半导体存储装置的半导体系统
摘要 本发明提供一种半导体存储装置,包括:共用焊盘,所述共用焊盘被配置为在读取操作中输出读取操作控制信号,并在写入操作中接收写入操作控制信号。
申请公布号 CN102467953B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201110252230.3 申请日期 2011.08.30
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 郭承煜
分类号 G11C7/22(2006.01)I 主分类号 G11C7/22(2006.01)I
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人 郭放;许伟群
主权项 一种半导体存储装置,包括:共用焊盘;写入数据选通焊盘,所述写入数据选通焊盘被配置为在写入操作中接收写入数据选通信号;读取数据选通发生单元,所述读取数据选通发生单元被配置为在读取操作中将读取数据选通信号输出至所述共用焊盘;以及掩蔽信号缓冲单元,所述掩蔽信号缓冲单元被配置为对经由所述共用焊盘接收的数据掩蔽信号进行缓冲。
地址 韩国京畿道