键合结构及其制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种键合结构及其制备方法。所述键合结构包括：其内具有连接孔的本体层；位于所述连接孔内的导电物质填充体；位于本体层正面、导电物质填充体之上、且宽度大于所述导电物质填充体宽度的第一导电凸块；位于所述第一导电凸块上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第一钎料层。本发明所提供的键合结构，在第一导电凸块与第一钎料层之间存在第一缓冲层，所述第一缓冲层在低温条件下可阻止第一钎料层向第一导电凸块内扩散，在高温条件下又可融入所述第一钎料层中，因此，本发明所提供的键合结构只需采用小剂量的钎料即可实现键合，且键合后键合界面的结合强度较高，可大大提高键合良率。

主权项

一种键合结构，其特征在于，包括：    其内具有连接孔的本体层；    位于所述连接孔内的导电物质填充体；    位于本体层正面、导电物质填充体之上、且宽度大于所述导电物质填充体宽度的第一导电凸块；    位于所述第一导电凸块上的第一缓冲层；    位于所述第一缓冲层上的第一钎料层；    所述本体层为半导体器件；    所述本体层的材料包括：硅、化合物、陶瓷或玻璃；    位于本体层背面、导电物质填充体之上、且宽度大于所述导电物质填充体宽度的第二导电凸块；    位于所述第二导电凸块上的第二缓冲层；    位于所述第二缓冲层上的第二钎料层；所述第一缓冲层的材料包括：钛、钨或钒；所述第一钎料层的材料包括：Sn、In、SnIn、SnCu、SnAg和SnAgCu中的一种或多种；所述第一导电凸块的材料包括：镍、钨、金、银、导电胶或重掺杂的半导体；所述导电物质填充体的材料包括：镍、钨、金、银、导电胶或重掺杂的半导体。