发明名称 一种高透薄膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种高透薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:A、直流电源溅射Nb平面靶,在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>层;B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>层上磁控溅射TiO<sub>2</sub>层;C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶,在TiO<sub>2</sub>层上磁控溅射AZO层;D、直流电源溅射银平面靶,在AZO层上磁控溅射Ag层;E、直流电源溅射NiCr合金平面靶,在Ag层上磁控溅射NiCr层;F、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在NiCr层上磁控溅射TiO<sub>2</sub>层。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种工艺简单,操作方便,生产成本相对较低的高透薄膜的制备方法。
申请公布号 CN103643208B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201310548946.7 申请日期 2013.11.07
申请人 中山市创科科研技术服务有限公司 发明人 陈路玉
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 中山市捷凯专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 44327 代理人 杨连华
主权项 一种高透薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射Nb平面靶,在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层;B、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层;C、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶,在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层;D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层;E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层;F、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。
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