发明名称 |
一种高透薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高透薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:A、直流电源溅射Nb平面靶,在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>层;B、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>层上磁控溅射TiO<sub>2</sub>层;C、交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶,在TiO<sub>2</sub>层上磁控溅射AZO层;D、直流电源溅射银平面靶,在AZO层上磁控溅射Ag层;E、直流电源溅射NiCr合金平面靶,在Ag层上磁控溅射NiCr层;F、交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在NiCr层上磁控溅射TiO<sub>2</sub>层。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种工艺简单,操作方便,生产成本相对较低的高透薄膜的制备方法。 |
申请公布号 |
CN103643208B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201310548946.7 |
申请日期 |
2013.11.07 |
申请人 |
中山市创科科研技术服务有限公司 |
发明人 |
陈路玉 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
中山市捷凯专利商标代理事务所(特殊普通合伙) 44327 |
代理人 |
杨连华 |
主权项 |
一种高透薄膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:A、采用氧气作为反应气体,氩气作为保护气体,直流电源溅射Nb平面靶,在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层;B、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层;C、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶,在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层;D、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射银平面靶,在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层;E、采用氩气作为反应气体,直流电源溅射NiCr合金平面靶,在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层;F、采用氩气作为反应气体,交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶,在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。 |
地址 |
528400 广东省中山市火炬开发区创业大厦229号 |