一种具有鳍型沟道结构的薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种具有鳍型沟道结构的薄膜晶体管及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：（a）在基板上沉积并刻蚀底栅极；（b）在由步骤（a）获取的结构的上部沉积底部介电层，在所述底部介电层上连续沉积半导体薄膜层；（c）对半导体薄膜层进行刻蚀得到鳍型沟道；（d）在位于鳍型沟道两侧的半导体薄膜层上分别沉积欧姆接触层及源极和漏极并刻蚀；（e）在由步骤（d）获取的结构的上部沉积顶部介电层和顶栅极；（f）刻蚀顶栅极，完成制备具有双栅极鳍型沟道薄膜晶体管。采用本发明获取的晶体管增加了沟道区域半导体薄膜的厚度，将源漏区域半导体薄膜的厚度减薄。

主权项

一种具有鳍型沟道结构的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（a）在基板（1）上沉积并刻蚀底栅极（2）；（b）在由步骤（a）获取的结构的上部沉积底部介电层（3），在所述底部介电层（3）上连续沉积半导体薄膜层；（c）对半导体薄膜层进行刻蚀得到鳍型沟道（4）；（d）在位于蚀鳍型沟道（4）两侧的半导体薄膜层上分别沉积源极（5）和漏极（6）并刻蚀；（e）在由步骤（d）获取的结构的上部沉积顶部介电层（7）和顶栅极（8）；（f）刻蚀顶栅极（8），完成制备双栅极鳍型沟道薄膜晶体管。