| 发明名称 | 具有作为功函数层和/或阻挡/润湿层的TiAlCN的金属栅极堆叠件 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种具有作为功函数层和/或多功能阻挡/润湿层的碳氮化铝钛(TiAlCN)的金属栅极堆叠件及其制造方法。在实例中，集成电路器件包括半导体衬底和设置在半导体衬底上方的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括设置在半导体衬底上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的多功能阻挡/润湿层，其中多功能阻挡/润湿层包括TiAlCN、设置在多功能阻挡/润湿层上方的功函数层以及设置在功函数层上方的导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN105261637A | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201510403987.6 | 申请日期 | 2015.07.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张简旭珂;刘继文;郑志成;王廷君 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种集成电路器件，包括：半导体衬底；以及栅极堆叠件，设置在所述半导体衬底上方，其中，所述栅极堆叠件包括：栅极介电层，设置在所述半导体衬底上方；多功能阻挡/润湿层，设置在所述栅极介电层上方，其中，所述多功能阻挡/润湿层包括碳氮化铝钛(TiAlCN)；功函数层，设置在所述多功能阻挡/润湿层上方；以及导电层，设置在所述功函数层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||