STRESS TRANSFER BY SEQUENTIALLY PROVIDING A HIGHLY STRESSED ETCH STOP MATERIAL AND AN INTERLAYER DIELECTRIC IN A CONTACT LAYER STACK OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

중간에 층간 유전체 물질(250A, 350A, 250B, 350B)을 지닌 높은 진성 스트레스 레벨의 두개 이상의 개별 유전체 층들(230, 330A, 233, 333, 234, 334)을 형성함으로써, 고도로 스케일된 반도체 디바이스들(200, 300)에 대해, 플라즈마 증진 화학 기상 증착과 같은 각각의 증착 기법들의 제약사항들을 준수하면서도 트랜지스터 소자(220, 320A) 위에 증가된 양의 스트레스된 물질을 제공할 수 있다.