发明名称 |
二钼酸铵连续结晶装置 |
摘要 |
本实用新型涉及一种二钼酸铵连续结晶装置,包括加热室、蒸发室、设于蒸发室下部并与其连通的分离室、连接于加热室和蒸发室之间的循环管Ⅰ、连接于分离室和加热室之间的循环管Ⅱ,设于循环管Ⅱ上的循环泵,其特征在于:所述蒸发室内设有液位计,所述液位计所在高度与蒸发室对应循环管Ⅰ的进料口高度持平,所述分离室底部两侧分别设有观察窗和排料口,所述分离室最底端设有排净口。其具有精确调整回母液量,随时观察排料情况,并可彻底排净沉降料的优点。 |
申请公布号 |
CN204973124U |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201520484935.1 |
申请日期 |
2015.07.07 |
申请人 |
锦州天桥难熔金属有限公司 |
发明人 |
苏广全;杜家森;张慧;韩凤;牛海涛 |
分类号 |
B01D9/02(2006.01)I;C01G39/00(2006.01)I |
主分类号 |
B01D9/02(2006.01)I |
代理机构 |
锦州辽西专利事务所 21225 |
代理人 |
赵月娜 |
主权项 |
一种二钼酸铵连续结晶装置,包括加热室、蒸发室、设于蒸发室下部并与其连通的分离室、连接于加热室和蒸发室之间的循环管Ⅰ、连接于分离室和加热室之间的循环管Ⅱ,设于循环管Ⅱ上的循环泵,其特征在于:所述蒸发室内设有液位计,所述液位计所在高度与蒸发室对应循环管Ⅰ的进料口高度持平,所述分离室底部两侧分别设有观察窗和排料口,所述分离室最底端设有排净口。 |
地址 |
121000 辽宁省锦州市经济技术开发区天山路一段50号 |