发明名称 |
压电晶体单元及其制造方法 |
摘要 |
一种压电晶体单元包括:封装,其包括凹陷部分;压电元件,其具有突出的电极并被设置在所述封装内部;以及导电粘合剂,其被包含在所述凹陷部分中。所述压电元件被固定至所述封装,并且所述突出电极被嵌入在所述封装的所述凹陷部分中。 |
申请公布号 |
CN102122933B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201110001880.0 |
申请日期 |
2011.01.06 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
久保田元;伊东雅之;岸正一 |
分类号 |
H03H9/02(2006.01)I;H03H9/05(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;孙海龙 |
主权项 |
一种压电晶体单元,所述压电晶体单元包括:封装,其包括凹陷部分;压电元件,其具有突出电极并被设置在所述封装内部;以及导电粘合剂,其填充在所述凹陷部分中,其中,所述突出电极形成有在所述压电元件的一个表面上的角落处形成的突出部分以及在所述突出部分的顶表面上形成的一个电极,并且通过将所述突出部分的所述电极嵌入在所述封装的所述凹陷部分中的所述导电粘合剂中来将压电元件固定至所述封装。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |