| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。公开一种半导体器件和制作半导体器件的方法。半导体器件包括布置于芯片之上的再分布层，该再分布层包括第一再分布线。半导体还包括：设置于再分布层之上的隔离层，该隔离层具有形成第一焊盘区的第一开口；以及位于第一开口中并且与第一再分布线接触的第一互连。第一焊盘区中的再分布线与到半导体器件的中性点的第一方向正交布置。 | ||
| 申请公布号 | CN102543923B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201110417177.8 | 申请日期 | 2011.12.14 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | L.海策尔;T.迈耶 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;李家麟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：再分布层，布置在芯片的主表面上，所述再分布层包括第一再分布线；隔离层，设置在所述再分布层上，所述隔离层具有形成第一焊盘区的第一开口；以及第一互连，位于所述第一开口中并且与所述第一再分布线接触；其中所述第一焊盘区中的所述第一再分布线布置在与所述芯片的主表面平行的平面中并且在所述平面内与自所述平面的中心点起沿着所述平面的第一径向方向正交并且与半导体器件的边缘不平行。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||