发明名称 |
弹性波元件及使用该弹性波元件的弹性波装置 |
摘要 |
SAW元件(1)具有:基板(3);IDT电极(5),其由Al或以Al为主要成分的合金构成,且配置在基板(3)的上表面(3a)上;第一膜(9),其配置在IDT电极(5)的上表面上;保护层(11),其以氧化硅为主要成分,覆盖配置有第一膜(9)的IDT电极(5)及基板(3)中从IDT电极(5)露出的部分,且距离基板(3)的上表面(3a)的厚度(t)比IDT电极(5)及第一膜(9)的合计的厚度(e)大。第一膜(9)以声阻抗比IDT电极(5)的材料(Al或以Al为主要成分的合金)及氧化硅大且弹性波的传播速度比IDT电极(5)的材料及氧化硅慢的材料为主要成分。 |
申请公布号 |
CN103119847B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201180046302.7 |
申请日期 |
2011.12.22 |
申请人 |
京瓷株式会社 |
发明人 |
西井润弥;岸野哲也;田中宏行;小林京平;山本显嗣;下园雅久;生田贵纪;西村道明 |
分类号 |
H03H9/145(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/145(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
刘文海 |
主权项 |
一种弹性波元件,具备:压电基板;电极,其以Al为主要成分,且位于该压电基板的上表面;第一膜,其位于该电极的上表面;和绝缘层,其以氧化硅为主要成分,覆盖该第一膜和所述压电基板中从所述电极露出的部分,且距离所述压电基板的上表面的厚度比所述电极及所述第一膜的合计的厚度大,所述第一膜以声阻抗比所述电极的材料及所述绝缘层的材料大且弹性波的传播速度比所述电极的材料及所述绝缘层的材料慢的材料为主要成分,在所述绝缘层的归一化厚度为T/λ时,所述第一膜的归一化厚度t/λ处在阻带的上端的频率与反共振频率一致时的归一化厚度以上且T/λ‑0.1以下的范围内,在此,t是第一膜的厚度,T是绝缘层的厚度,λ是弹性波的波长。 |
地址 |
日本京都府 |