发明名称 非易失性存储装置及其制造方法
摘要 非易失性存储装置具备:存储器单元阵列(10),具有由电阻变化元件(141)和第1电流控制元件(142)构成的多个存储器单元(11);以及电流控制元件参数产生电路(20),具有配置在基板(100)与第2层间绝缘层(105)之间的第3布线(203)、配置在第2层间绝缘层(105)上的第4布线(219)、在第3布线(203)与第4布线(219)之间通过将电阻变化元件(141)除去而不经由电阻变化元件(141)地与第3布线(203)及第4布线(219)连接、且具有与第1电流控制元件(142)相同的非线性电流控制特性的第2电流控制元件(242)。
申请公布号 CN103370790B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201280008882.5 申请日期 2012.12.17
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 川岛良男;早川幸夫
分类号 H01L27/105(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I 主分类号 H01L27/105(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 安香子;黄剑锋
主权项 一种非易失性存储装置,具备:存储器单元阵列,具有多个将第1电流控制元件和电阻变化元件串联连接而成的层叠型构造的存储器单元;电流控制元件参数产生电路,具有用于评价上述第1电流控制元件的电流控制特性的第2电流控制元件,并与上述存储器单元阵列电连接,使上述存储器单元动作;在形成上述存储器单元阵列的区域及形成上述电流控制元件参数产生电路的区域中,设有第1层叠体,该第1层叠体由电流控制元件下部电极层、电流控制层及电流控制元件上部电极层构成,作为上述第1电流控制元件及上述第2电流控制元件发挥功能;在上述第1层叠体上,设有第2层叠体,该第2层叠体由电阻变化元件下部电极层、包含缺氧型的第1金属氧化物的第1氧化物层、包含缺氧度比上述第1金属氧化物小且电阻值比上述第1金属氧化物高的第2金属氧化物的第2氧化物层、以及电阻变化元件上部电极层构成,作为上述电阻变化元件发挥功能;在形成上述电流控制元件参数产生电路的区域中,上述第2层叠体的一部分被除去,以使上述第2电流控制元件与配置在上述第2电流控制元件的上方的层不经由上述第2氧化物层而连接。
地址 日本大阪府