| 摘要 |
L'invention décrit un procédé de formation des espaceurs (152a, 152b) d'une grille d'un transistor à effet de champ, comprenant une étape de formation d'une couche de nitrure (152) recouvrant la grille dudit transistor ; au moins une étape de modification de la couche de nitrure, réalisée après l'étape de formation, par mise en présence de la couche de nitrure (152) avec un plasma comprenant des ions plus lourd que l'hydrogène et du CxHy pour former une couche modifiée à base de nitrure (158) et un film carboné (271) ; l'étape de modification étant réalisée de manière à ce que plasma créé un bombardement d'ions à base d'hydrogène (H) provenant du CxHy de manière anisotrope selon une direction privilégiée parallèle à des flancs de la grille et de sorte à modifier uniquement une portion supérieure de l'épaisseur de la couche à base de nitrure au niveau des flancs de la grille, le bombardement anisotrope d'ions plus lourds que l'hydrogène permettant au carbone du CxHy de former un film carboné notamment sur des surfaces parallèles à la direction du bombardement en empêchant de former un film carboné sur les surfaces de la couche à base de nitrure qui sont perpendiculaires à la direction du bombardement ; au moins une étape de retrait de la couche modifiée à base de nitrure à l'aide d'une gravure sélective de la couche modifiée à base de nitrure vis-à-vis dudit film carboné et vis-à-vis des portions non-modifiées (152a, 152b) qui constituent les espaceurs (152a, 152b) pour la grille. |
