用于蚀刻的方法和设备

摘要

本发明的实施例提供了衬底蚀刻方法和设备。在一个实施例中，提供了一种用于在等离子蚀刻反应器中蚀刻衬底的方法，包括以下步骤：使背侧处理气体在衬底与衬底支撑组件之间流动；并循环地蚀刻衬底上的层。

主权项

一种用于在等离子蚀刻反应器中蚀刻衬底的方法，包括以下步骤：使背侧处理气体通过设置在等离子处理腔室中的衬底支撑组件流动到界定在衬底与所述衬底支持组件之间的间隙空间内，其中所述背侧处理气体包括氧气且所述背侧处理气体的压力提供在约4和26托之间的范围；以及在所述背侧处理气体的存在下在所述等离子处理腔室中循环地蚀刻所述衬底上的硅层，其中所述循环地蚀刻所述硅层的步骤包括以下步骤：至少一个蚀刻子步骤，其使用由含氟气体所形成的等离子；以及至少一个沉积子步骤，其使用含碳气体。